[603167]新技术推动内存市场复苏，美光要失势了？

　　来历：美股研讨社　　作者?|?RobertCastellano　　编译丨华尔街大事件　　新技能，HBM和128GBDDR5，将推进内存商场的复苏。美光在HBM（高带宽内存）商场的份额

来历：美股研讨社

作者?|?RobertCastellano

编译丨华尔街大事件

新技能，HBM和128GBDDR5，将推进内存商场的复苏。美光在HBM（高带宽内存）商场的份额仅为10%。美光没有出产出128GBDDR5芯片。SK海力士垄断了大容量内存商场的两个范畴。

韩国DRAM制造商SK海力士和三星电子（OTCPK：SSNLF）新的第二季度开端数据显现，他们在内存康复方面抢先于美国美光科技（NASDAQ：MU）。

我以为包含ChatGPT在内的生成AI（人工智能）的鼓起及其对高带宽内存（“HBM”）的需求一直是DRAM增加的催化剂。我可以收集到的新数据是，2023年HBM商场份额在SK海力士和三星之间不相上下，占45%，美光占10%。

SK海力士现在专门为英伟达供给HBM3，用于H100TensorCoreGPU。

三星HBM产品进入超级计算机，如英特尔的AuroraProject和美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室的AMD的ElCapitan以及AMD的MI300AI超级芯片。

依据相关陈述剖析，该剖析师猜测HBM芯片的销量将在2023年同比增加40%，在2024年同比增加5%，导致商场好转期间赢利急剧增加。

HBM需求杂乱的出产工艺和高度先进的技能。HBM的均匀价格（ASP）至少是DRAM的三倍。

下图显现了美光2023财年第三季度的DRAM收入。SK海力士陈述第二季度DRAM开端收入为58%，而三星仅为3%，美光为0%。SK海力士和三星的收入上升标明，客户现已大大减少了库存积压，并开端再次购买芯片，尽管价格很低。

影响SK海力士微弱收入增加的另一个要素是128GBDDR5芯片的较高均匀价格，该公司现已可以约束均匀价格的下降，如图2所示。SK海力士以预估90%的收益率主导商场。

DDR5的功能是现在广泛运用的DDR4DRAM的两倍，是现在抢先的服务器DRAM，也是内存半导体制造商的最大收入来历。估量到2023年末，DDR5将占服务器内存需求的30%。

因而，尽管DDR4DIMM（双列直插式内存模块）的容量最高可达64GB（运用SDP），但依据DDR5SDP的DIMM是其四倍，到达256GB。

DRAM商场的增加不平衡，由于HBM和DDR5的技能优势促进了服务器商场的复苏，该范畴需求最大的内存量。

这种复苏得益于英特尔（INTC），英特尔是服务器中央处理器（CPU）商场的主导头号玩家，该公司推出了支撑DDR5DRAM的SapphireRapidsCPU。当然还有英伟达（NVDA），它在服务器AIGPU商场的主导地位。

美光在AI/HBM事务方面发展甚微，方案于3年头开端量产HBM2024。依据EETimes：

“SK海力士开发了MR-MUF技能，并将其应用于HBM产品。该技能提高了HBM超越100，000个微凸块互连的质量。此外，与竞争对手比较，这种封装技能充沛增加了凸块的数量，一起在散热方面表现出色，由于它采用了具有高导热性的模制底部填充（MUF）资料。

MR-MUF是指在堆叠芯片时，将半导体芯片连接到电路上，并用称为“液体EMC”（环氧模塑料）的资料填充芯片和凸块空隙之间的空间的进程。到现在为止，NCF技能已被用于这一进程。

NCF是一种经过在芯片之间运用一种薄膜来堆叠芯片的办法。与NCF比较，MR-MUF办法的导热系数约为其两倍，并且会影响工艺速度和产值。

MR-MUF封装对HBM芯片的外部结构有严重影响。SK海力士在创立50层HBM3时，将一个产品中堆叠的DRAM数量从8（16GB）增加到12，从而将容量提高了约3%。

关于DDR5，尽管SK海力士是仅有一家全面出产128GB芯片的公司，三星刚刚开端出产，但MU刚刚推出了96GB芯片。

整体而言，内存阑珊或许正在到达最低点，上升将在2023年下半年开端。

另一个必定来自ASML最近关于内存公司收入的财报电话会议。ASML（ASML）陈述称，内存收入占总收入的份额从2023年第一季度的30%下降到2023年第二季度的16%。

内存预定量有所改善，为1.4B欧元，上一季度为7.88亿欧元（+77%环比）和去年同期为3.38亿欧元（同比-59%）。

该剖析师重申对美光科技的卖出评级。